Электронно-дырочный p-n переход — это ключевой элемент многих полупроводниковых устройств, таких как диоды и транзисторы. Он образуется на границе двух полупроводников с различными типами проводимости: n-типом, обладающим избытком электронов, и p-типом, где наблюдается недостаток электронов или наличие дырок. В результате взаимодействия этих областей формируется дефицит носителей заряда, создающий электрическое поле, что важно для работы устройств. Среди основных свойств p-n перехода можно выделить его нелинейную вольт-амперную характеристику, что позволяет использовать его в качестве выпрямителей и усилителей. Понимание механизмов, происходящих в электронно-дыровом переходе, имеет важное значение для разработки и оптимизации новых полупроводниковых технологий, что, в свою очередь, влияет на широту их применения в электронных устройствах.