Описание темы работы, актуальности, целей, задач, новизны, тем, содержащихся внутри работы.

Раздел посвящён физическим основам процесса диффузии в полупроводниковых материалах, описывающим перемещение атомов легирующих примесей под действием теплового движения.

В данном разделе представлено математическое описание переноса примесей через уравнение Фика с анализом его значения для управления процессом легирования.

Обзор факторов влияния на величину коэффициента диффузии, позволяющего контролировать скорость формирования легированных областей.

Технический обзор процессов легирования посредством классических методов внедрения примесей из различных источников.

Особенности метода ионной имплантации при формировании легированных областей с высокой точностью управления глубиной проникновения и концентрацией примесей.

Анализ воздействия различных видов примесных атомов на проводимость и механические свойства полупроводниковых материалов.

Описание практического значения формируемых легированных зон для развития современной электроники и микроэлектроники.

Обзор современных инструментальных методов анализа структуры легированных областей для обеспечения стабильности работы полупроводниковых приборов.

Описание результатов работы, выводов.

Список литературы по ГОСТу